6 月 21 日消息，据投资研究平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表示，未来晶体管设计将降低对先进光刻设备的依赖，转而提升刻蚀技术的核心地位。

他认为，随着全环绕栅极场效应晶体管（即 GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）等新型结构的发展，高端芯片制造对光刻环节的总体需求将会减弱。

这位英特尔总监强调，GAAFET 与 CFET 等三维晶体管结构要求「从各个方向包裹栅极」，使得横向去除多余材料成为关键，「制造商将更专注于通过刻蚀工艺去除材料，而非延长晶圆在光刻机中的处理时间来缩小特征尺寸。」

英特尔总监表示，这种三维结构使芯片制造「降低对最小特征尺寸的依赖，因为不仅能在平面上实现高密度，还能通过垂直堆叠达成」，因此高数值孔径光刻机在先进制程中的重要性「将低于当前 EUV 设备在 7nm 及更先进技术节点中的关键地位」。（来源：IT 之家）